1. 征稿范圍

　　半導(dǎo)體新材料的研發(fā)、半導(dǎo)體器件(CMOS器件、有機(jī)半導(dǎo)體器件、化合物半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體光電器件、薄膜晶體管、存儲(chǔ)器等)和技術(shù)、集成電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用、先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)和封裝技術(shù)、可靠性(功率器件可靠性、ESD技術(shù)等)、檢測技術(shù)與設(shè)備等領(lǐng)域國內(nèi)外的研究進(jìn)展和最新研究成果。主要欄目：趨勢與展望，半導(dǎo)體材料與器件，半導(dǎo)體制備技術(shù)，集成電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用，封裝、檢測與設(shè)備。

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　　2. 投稿方法

　　①系統(tǒng)投稿：請(qǐng)登錄《半導(dǎo)體技術(shù)》網(wǎng)站(http://www.bdtj.cbpt.cnki.net)“作者投稿” 一欄進(jìn)行投稿(推薦)

　　②郵箱投稿：bdtj1339@vip.163.com

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　　3. 投稿要求

　　♦ 作者在投稿前，須準(zhǔn)備好全部作者簽字、單位蓋章的論文審查證明，在投稿系統(tǒng)中上傳電子掃描版。投稿作者必須遵守學(xué)術(shù)規(guī)范和準(zhǔn)則，勿一稿多投，杜絕泄密、抄襲、剽竊等行為。

　　♦ 來稿件請(qǐng)用WORD 文檔排版。

　　♦ 稿件應(yīng)論點(diǎn)明確、數(shù)據(jù)可靠、條理清晰、文字精煉，論文撰寫符合國家出版標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范。

　　♦ 英文稿件要求語法規(guī)范、用詞準(zhǔn)確、表述無誤。

　　♦ 來稿請(qǐng)附第一作者及通信作者的聯(lián)系方式，包括通信地址及郵編、固定或移動(dòng)電話、E-mail，以便及時(shí)與作者聯(lián)系。

　　♦ 在稿件的最后一頁需附上作者簡介、第一作者近期1寸免冠證件照片(JPG格式)。若第一作者為在校學(xué)生，還需提供導(dǎo)師的個(gè)人簡介(作者簡介總數(shù)不超過3個(gè))，并確認(rèn)導(dǎo)師是否同意投稿，且文中所有內(nèi)容(例如：數(shù)據(jù))已經(jīng)核實(shí)準(zhǔn)確無誤。

　　4. 審稿流程

　　收到稿件后，編輯部將通過“科技期刊學(xué)術(shù)不端文獻(xiàn)檢測系統(tǒng)”、網(wǎng)絡(luò)搜索文獻(xiàn)對(duì)比和編輯部綜合審查等對(duì)稿件進(jìn)行初審(5~7個(gè)工作日)，無論初審?fù)ㄟ^與否，編輯部都會(huì)盡快告知。初審?fù)ㄟ^后的稿件將送至相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜疫M(jìn)行“雙盲審稿”，編輯部于40天左右將評(píng)審意見發(fā)給作者。作者應(yīng)將修改后的文稿及時(shí)(3周內(nèi))返回編輯部，審閱通過后將進(jìn)行編輯加工和印刷出版。

　　5. 注意事項(xiàng)

　　自作者投稿之日起，視所有署名作者同意將文章的版權(quán)轉(zhuǎn)讓給《半導(dǎo)體技術(shù)》編輯部。本刊已許可中國知網(wǎng)、美國《化學(xué)文摘》(CA)及英國INSPEC等數(shù)據(jù)庫以數(shù)字化方式復(fù)制、匯編、信息網(wǎng)絡(luò)傳播本刊全文。所有著作權(quán)轉(zhuǎn)讓費(fèi)用均包含在論文刊登后《半導(dǎo)體技術(shù)》期刊支付的稿酬中，不再另行支付費(fèi)用。作者向本刊提交文章發(fā)表的行為即視為同意我編輯部上述聲明。如有異議，請(qǐng)?jiān)趤砀鍟r(shí)說明，本刊將進(jìn)行適當(dāng)處理。