【雜志簡(jiǎn)介】

　　《微電子學(xué)》是技術(shù)類期刊。傳播、普及、推廣 微電子科學(xué)技術(shù)知識(shí)，介紹國(guó)內(nèi)微電子行業(yè)的最新研究成果和國(guó)外微電子業(yè)界的發(fā)展動(dòng)態(tài)。有關(guān)微電子學(xué)基礎(chǔ)理論，微電子器件與電路, 集成電路，半導(dǎo)體工藝和制造技術(shù)，集成電路封裝技術(shù)，多芯片組件技術(shù)，集成電路可靠性技術(shù)，片上系統(tǒng)，集成系統(tǒng)等領(lǐng)域的研究論文、技術(shù)報(bào)告、綜合評(píng)述、產(chǎn)品應(yīng)用等內(nèi)容。該刊重點(diǎn)檢索刊物、數(shù)據(jù)庫(kù)、期刊網(wǎng)站所收錄，是中國(guó)核心期刊之一。

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　　【欄目設(shè)置】

　　本刊主要刊登有關(guān)微電子學(xué)基礎(chǔ)理論，微電子器件與電路, 集成電路，半導(dǎo)體工藝和制造技術(shù)，集成電路封裝技術(shù)，多芯片組件技術(shù)，集成電路可靠性技術(shù)，片上系統(tǒng)，集成系統(tǒng)等領(lǐng)域的研究論文、技術(shù)報(bào)告、綜合評(píng)述、產(chǎn)品應(yīng)用等內(nèi)容。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)源 韓雨衡;趙少敏;劉增鑫;賀婭君;華浩翔;張國(guó)俊417-420

　　一種高效率寬電壓輸入混合集成開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì) 柴漢冬;尹華421-424+428

　　一種高電源抑制比的全MOS電壓基準(zhǔn)源設(shè)計(jì) 唐俊龍;肖正;周斌騰;謝海情425-428

　　一種USB電源管理芯片雙門限限流保護(hù)電路 譚玉麟;馮全源429-432

　　一種低相位噪聲鎖相環(huán)頻率合成器的設(shè)計(jì) 李通;陳志銘;桂小琰433-436+440

　　一種基于全差分積分器的時(shí)鐘穩(wěn)定電路設(shè)計(jì) 羅凱;朱璨;胡剛毅437-440

　　基于90nm CMOS工藝的37GHz分頻器 安鵬;陳志銘;桂小琰441-443+448

　　一種電流型非線性補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)的設(shè)計(jì) 徐鵬程;尹桂珠;韓志剛444-448

　　帶使能端及保護(hù)電路的LDO設(shè)計(jì) 汪雪琴;李力南;歐文;翟鵬飛;毛少博449-453

　　一種用于TRIAC導(dǎo)通角測(cè)量的時(shí)鐘振蕩電路 周英娜;郭寶明;馮玲玲;李威454-456+460

　　一種高CMRR高增益運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì) 何澤煒;郭俊;張國(guó)俊457-460

　　可集成于汽車電壓調(diào)節(jié)器的高性能振蕩電路 王建衛(wèi);李佐;張鳳玲;張輝461-464

　　一種電流自適應(yīng)溫度的LED驅(qū)動(dòng)電路 武世明;曾以成;陶亮465-468+473

　　一種用于PIR控制芯片的級(jí)聯(lián)積分梳狀濾波器 徐進(jìn);李澤宏;王子歐;江猛469-473

　　一種有效實(shí)現(xiàn)IC時(shí)序收斂的方法 祝雪菲;張萬(wàn)榮;萬(wàn)培元;林平分;王成龍;劉文斌474-478+483

　　單粒子瞬態(tài)脈沖的片上測(cè)量 蔣見(jiàn)花;向一鳴;周玉梅479-483

　　基于肖特基勢(shì)壘二極管整流的功率指示計(jì)設(shè)計(jì) 李琰;肖知明;俞航;劉少華;Amara AMARA484-487

　　高精度電流模式四象限乘法器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 吳湘鋒;李志軍;張黎黎488-491+496

　　準(zhǔn)諧振正激變換器零電壓開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì) 吳限;王強(qiáng);蔣云楊492-496

　　電子科技論文發(fā)表：基于北斗搜尋救助定位系統(tǒng)的定位終端設(shè)計(jì)

　　摘 要：北斗搜尋救助定位終端是整個(gè)系統(tǒng)的核心，該文設(shè)計(jì)了一套適用于弱勢(shì)群體定位終端，重點(diǎn)講述了該終端的定位模塊、單片機(jī)模塊以及無(wú)線通信模塊的電路設(shè)計(jì)，并通過(guò)硬件電路調(diào)試，將終端成功運(yùn)行起來(lái)，北斗接收終端通過(guò)串口調(diào)試助手進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果表明北斗接收機(jī)能夠正常接收來(lái)自北斗衛(wèi)星和GPS衛(wèi)星的導(dǎo)航信息，并且能接收和發(fā)送短信。

　　關(guān)鍵詞：北斗衛(wèi)星,定位終端,無(wú)線通信

　　現(xiàn)今我們?cè)诓皇煜さ膱?chǎng)所唯一依賴的 GPS或衛(wèi)星電話，這些對(duì)老人、兒童以及智障人士來(lái)說(shuō)無(wú)疑是毫無(wú)用處的，而危險(xiǎn)無(wú)處不在，如果無(wú)法及時(shí)掌握這些人的動(dòng)態(tài)信息，可能會(huì)導(dǎo)致悲劇的發(fā)生。因此設(shè)計(jì)一套基于北斗衛(wèi)星導(dǎo)航的搜尋救助系統(tǒng)是非常有必要的。在搜尋救助系統(tǒng)中定位終端需要帶在行人的身上，才可以對(duì)其進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)控、跟蹤，因此如何設(shè)計(jì)較小的定位終端在搜尋救助定位系統(tǒng)中有著至關(guān)重要的地位。在終端的設(shè)計(jì)中，文章采用了體積較小的BD/GPS雙模定位模塊UM220。TC35i模塊作為無(wú)線通信模塊。采用C8051F380單片機(jī)，一方面可以控制北斗模塊的位置信息的接收，另一方面可以控制無(wú)線通信模塊與遠(yuǎn)程服務(wù)器進(jìn)行通信。

　　微電子學(xué)最新期刊目錄

基于DLL的高精度高動(dòng)態(tài)范圍的TDC的設(shè)計(jì)————作者：楊帆;申人升;張賀秋;盧宏斌;常玉春;

摘要：基于TSMC 65 nm 的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一款基于DLL的高精度、高動(dòng)態(tài)范圍的TDC。該設(shè)計(jì)采用滑尺法，通過(guò)分別對(duì)START信號(hào)和STOP信號(hào)進(jìn)行量化，不僅消除了由于初相不匹配而引入的誤差，還減小了由于電路的結(jié)構(gòu)和制造工藝中的各種非理想因素而引入的非線性誤差。同時(shí)采用三段式TDC的架構(gòu)，兼容實(shí)現(xiàn)了高動(dòng)態(tài)范圍和高分辨率。通過(guò)對(duì)芯片成品進(jìn)行測(cè)試：本文實(shí)現(xiàn)的TDC在基準(zhǔn)時(shí)鐘100MHz的條件下...

面向SoC驗(yàn)證的協(xié)同仿真平臺(tái)內(nèi)存建模方法————作者：王貫西;黃正峰;蘇晨星;侯亮;楊滔;

摘要：軟硬件協(xié)同仿真既有軟件仿真的良好調(diào)試性，又具有FPGA原型驗(yàn)證的高速特性，可以有效縮短芯片驗(yàn)證周期。然而構(gòu)成協(xié)同仿真平臺(tái)的FPGA片內(nèi)RAM資源有限，且最多只能提供2個(gè)異步讀寫端口，難以滿足大規(guī)模芯片設(shè)計(jì)需求。用戶也無(wú)法直接獲取映射到RAM的待測(cè)設(shè)計(jì)內(nèi)存數(shù)據(jù)，增加了診斷電路錯(cuò)誤的難度。針對(duì)上述問(wèn)題，本文對(duì)協(xié)同仿真平臺(tái)的FPGA片內(nèi)RAM和片外DDR重新建模，實(shí)現(xiàn)最高4GB容量、最多16個(gè)異步讀寫端...

基于有機(jī)材料的柔性微波器件及微帶濾波電路————作者：汪濤;錢鵬健;宿利宸;宣曉峰;

摘要：本文基于有機(jī)導(dǎo)電材料設(shè)計(jì)了一款小型化的柔性平面帶通濾波器。通過(guò)選取低介電損耗的有機(jī)介電材料，有效降低了插入損耗、提高了濾波器的傳輸效率。建立了三維物理模型和等效電路，采用場(chǎng)路結(jié)合的方法分析了該濾波器結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明，該濾波器工作在0.20～4.02 GHz，中心頻率為1.77 GHz，最小插入損耗為1.56 dB。根據(jù)該濾波器在1.77 GHz的磁場(chǎng)分布和表面電流分布分析了其濾波機(jī)理，研究了襯底...

采用條柵布局的SGT MOSFET電流分布研究————作者：張峪銘;楊瑞;王媛;

摘要：在采用條柵布局的SGT MOSFET中柵極多晶通常比N⁺區(qū)更長(zhǎng)，則反型時(shí)形成的溝道也比N⁺區(qū)更長(zhǎng)。本文利用三維TCAD仿真方法，研究了采用條柵布局的SGT MOSFET電流分布，分析了在長(zhǎng)條柵極方向上的電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律和電流分布，探究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和偏置電壓條件對(duì)SGT MOSFET電流分布的影響。結(jié)果表明，在SGT MOSFET設(shè)計(jì)過(guò)程中，利用N^+<...

一款頻帶和電感值可大范圍調(diào)諧且Q峰值可保持不變的低噪聲有源電感————作者：曹健;張萬(wàn)榮;金冬月;謝紅云;那偉聰;宋金達(dá);張輝;楚尚勛;王雪;

摘要：提出了一款新型有源電感（AI）。它主要由雙回轉(zhuǎn)器、RC反饋支路、前饋噪聲抑制電路和兩個(gè)帶有外部電壓調(diào)控端V_tune1和V_tune2的電流源模塊組成。其中，將雙回轉(zhuǎn)器進(jìn)行并聯(lián)，降低了等效損耗電阻R_S，提升了AI的Q值；RC反饋支路與正跨導(dǎo)器形成負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了等效回轉(zhuǎn)電容，進(jìn)而增大了AI的等效電感值；前饋噪聲抑制電路降低了AI噪聲；...

面向超高場(chǎng)磁共振成像的低溫前置放大器————作者：奚業(yè)龍;張興雨;王永良;李凌云;

摘要：面向超高場(chǎng)磁共振成像系統(tǒng)，針對(duì)7T ¹H （298 MHz）成像設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款工作于液氮溫度（77 K）的低溫前置放大器。該放大器基于商用高電子遷移率晶體管ATF-54143，對(duì)晶體管的低溫特性進(jìn)行測(cè)試，驗(yàn)證了晶體管在77 K工作的有效性。放大器采用共源極拓?fù)�，在輸入與輸出端之間引入電阻與電容構(gòu)成的負(fù)反饋以提高放大器穩(wěn)定性，并分析了反饋電阻對(duì)電路噪聲的貢獻(xiàn)。測(cè)試結(jié)果表明，放...

基于BSIM-CMG緊湊模型的鍺核-硅殼NSFET的SPICE建模————作者：馬英杰;王悅楊;李清華;劉偉景;

摘要：鍺核-硅殼納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管（鍺核-硅殼NSFET）是一種在納米片結(jié)構(gòu)中引入殼-核溝道的新型器件，基于伯克利短溝道柵絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管公共多柵（BSIM-CMG）緊湊模型結(jié)合TCAD仿真進(jìn)行直流特性建模。通過(guò)MeQLab開(kāi)展點(diǎn)（Point）模型基本參數(shù)提取，高階物理效應(yīng)參數(shù)提取，分組（Bin）模型及邊界（Corner）模型的構(gòu)建。建模過(guò)程中采用等效思想描述了量子阱導(dǎo)通機(jī)理與高階物理效應(yīng)對(duì)電學(xué)特性的影...

基于隊(duì)列斜率和流優(yōu)先的高效擁塞控制————作者：王旭;黃正峰;郭二輝;

摘要：隨著數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)規(guī)模的增長(zhǎng)，基于RDMA的RoCE技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低延遲和高吞吐量，但主流擁塞控制算法DCQCN在復(fù)雜負(fù)載和突發(fā)性擁塞場(chǎng)景下存在反饋滯后和未區(qū)分流量?jī)?yōu)先級(jí)的問(wèn)題，導(dǎo)致小流傳輸效率低下。為此，本文提出了一種基于隊(duì)列長(zhǎng)度變化速率(斜率)和小流優(yōu)先的改進(jìn)算法DSFQCN，通過(guò)優(yōu)化ECN標(biāo)記策略并增加流量調(diào)度機(jī)制，提高了微突發(fā)流量的響應(yīng)能力，減少了小流與大流的競(jìng)爭(zhēng)。仿真結(jié)果表明，DSFQCN顯著...

一種抗輻射寬輸入范圍帶隙基準(zhǔn)源————作者：李成鑫;羅萍;馮皆凱;龔正;羅凱;姚福林;

摘要：基于對(duì)輻射環(huán)境下帶隙基準(zhǔn)電路退化機(jī)理的研究，設(shè)計(jì)了一種抗輻射寬輸入范圍帶隙基準(zhǔn)源。通過(guò)建立內(nèi)部電源軌使其工作在更高電壓下；采用MOS器件的叉指結(jié)構(gòu)，將淺槽隔離區(qū)（STI）與有源區(qū)進(jìn)行有效隔離，實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)核心對(duì)總劑量效應(yīng)（TID）的加固；針對(duì)單粒子瞬態(tài)（SET）對(duì)基準(zhǔn)電路的影響，提出了動(dòng)態(tài)負(fù)載追蹤（Dynamic Load Tracking，DLT）技術(shù)，并綜合運(yùn)用輸出濾波、調(diào)整管柵極濾波、DLT技術(shù)...

高電源抑制比低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)————作者：謝海情;諶運(yùn)政;劉文用;肖斌;趙欣領(lǐng);王昌志;鞏雅楠;劉順城;

摘要：針對(duì)傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源存在的電源抑制比差、線性調(diào)整率大以及溫度系數(shù)高等問(wèn)題，設(shè)計(jì)一種高電源抑制比、低溫度系數(shù)帶隙基準(zhǔn)電壓源。采用曲率補(bǔ)償電路，實(shí)現(xiàn)溫度曲線平滑處理，提高基準(zhǔn)電壓精度；優(yōu)化前置預(yù)穩(wěn)壓電路和低通濾波電路，顯著提高系統(tǒng)的電源抑制能力�；�于0.18μm CMOS工藝，完成電路設(shè)計(jì)與仿真。在5V電源電壓下，輸出電壓為1.207V；在-40℃～ 125℃，溫度系數(shù)為7.8×10^-6<...

一種針對(duì)直接型X射線圖像傳感器的混合模式CMOS讀出電路設(shè)計(jì)————作者：楊京澳;張曉龍;彭家麗;潘思寧;任天令;

摘要：本文基于0.18μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種用于直接型X射線圖像傳感器的混合模式讀出電路，同時(shí)支持光子計(jì)數(shù)以及積分兩種讀出方式。當(dāng)光強(qiáng)較小時(shí)，使用計(jì)數(shù)模式以獲取良好的噪聲表現(xiàn)，當(dāng)光強(qiáng)較大以至于計(jì)數(shù)模式飽和時(shí)，則激活積分模式擴(kuò)展讀出電路動(dòng)態(tài)范圍。仿真表明，計(jì)數(shù)模式能抑制高達(dá)數(shù)十納安的前端輸入漏電流，等效輸入噪聲電荷72e^-_rms，功耗為72.2μW/Pi...

一種用于低噪聲Buck的電流型基準(zhǔn)反饋結(jié)構(gòu)————作者：連卓凡;羅萍;彭怡然;龔正;辛相文;李云澤;

摘要：設(shè)計(jì)了一種能夠降低Buck變換器輸出端低頻噪聲的電流型基準(zhǔn)反饋結(jié)構(gòu)。本文分析了Buck變換器輸出端噪聲的來(lái)源，設(shè)計(jì)了一種由低噪聲電流型基準(zhǔn)、低噪聲誤差放大器和片外高精度電阻及電容組成的新型反饋結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)基于180 nm BCD工藝，降低了Buck輸出端噪聲頻譜中增益帶寬（GBW）以內(nèi)的低頻噪聲，提高了Buck變換器的精度和穩(wěn)定性。仿真結(jié)果表明，在輸入電壓12 V，輸出電壓1 V，片外濾波電容10...

一種低失配自動(dòng)校準(zhǔn)電荷泵電路————作者：陶磊;李婷;馬梓銘;

摘要：傳統(tǒng)電荷泵因電流失配引起輸出電壓的紋波，影響鎖相環(huán)的噪聲并惡化雜散性能。本文基于輸出阻抗增強(qiáng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了寬動(dòng)態(tài)范圍下維持較高的靜態(tài)電流匹配度，采用數(shù)字校準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了充放電電流的動(dòng)態(tài)失配校準(zhǔn)�；�于源極開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)克服時(shí)鐘饋通和電荷共享非理想效應(yīng)，采用運(yùn)放鉗位電壓消除輸出電壓通過(guò)溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)造成的失配。通過(guò)比較器檢測(cè)輸出電壓的變化來(lái)推斷充電電流和放電電流的失配關(guān)系，設(shè)計(jì)數(shù)字校準(zhǔn)邏輯電路和校準(zhǔn)補(bǔ)償電流電路...

低開(kāi)銷的三節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)容忍鎖存器設(shè)計(jì)————作者：李九七;徐輝;馬瑞君;黃正峰;梁華國(guó);

摘要：針對(duì)鎖存器電路中因電荷共享引起的單粒子三節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)問(wèn)題，該文提出了一種三節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)加固鎖存器LC-TNUTLD。該鎖存器包括鎖存模塊和攔截模塊兩個(gè)部分，鎖存模塊由兩個(gè)反饋環(huán)路構(gòu)成，每個(gè)環(huán)路獨(dú)立工作且由四個(gè)CGE單元構(gòu)成；攔截模塊采用由三個(gè)C單元組成的雙級(jí)攔截結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用高速傳輸路徑、鐘控門技術(shù)以及使用較少的晶體管等設(shè)計(jì)方法，在保證性能的同時(shí)降低成本。仿真結(jié)果表明，電路的面積、功耗、平均延時(shí)、功耗延時(shí)...

基于kT/C噪聲消除和失配誤差整形技術(shù)的二階無(wú)源噪聲整形SAR ADC設(shè)計(jì)————作者：傅建軍;宜天格;劉佳欣;蔣和全;

摘要：逐次逼近型（Successive Approximation Register， SAR）模數(shù)轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter， ADC）是一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、對(duì)制程演進(jìn)友好且高能效的ADC結(jié)構(gòu)，然而其精度主要受限于采樣噪聲、數(shù)模轉(zhuǎn)換器（Digital-to-Analog Converter， DAC）失配和比較器噪聲。提出的基于采樣噪聲消除和DAC失配誤差整形技術(shù)的噪聲整...

22 nm FDSOI器件單粒子效應(yīng)仿真研究————作者：黃凱;艾爾肯·阿不都瓦衣提;畢津順;劉雪飛;王剛;劉明強(qiáng);王德貴;

摘要：基于Synopsys Sentaurus TCAD仿真工具對(duì)22 nm全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）器件進(jìn)行單粒子瞬態(tài)效應(yīng)仿真研究。首先研究不同線性能量轉(zhuǎn)移（LET）值對(duì)單粒子瞬態(tài)特性的影響，結(jié)果表明當(dāng)LET值從10 MeV·cm²/mg增加到35MeV·cm²/mg，單粒子瞬態(tài)電流峰值從180 μA增大到700 μA，脈沖寬度從10 ps增大到13 p...

p-NiO RESURF結(jié)構(gòu)的GaN HEMT特性研究————作者：王菲;徐儒;趙見(jiàn)國(guó);王修坪;許諾;殷瑞;

摘要：為獲得低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓，利用Silvaco-ATLAS軟件設(shè)計(jì)了一種p-NiO降低表面電場(chǎng)（Reduced Surface Field，RESURF）結(jié)構(gòu)的GaN HEMT。研究結(jié)果表明，在電荷平衡條件下，當(dāng)柵漏間距L_GD=9.5 μm時(shí)，雙溝道器件的比導(dǎo)通電阻從單溝道器件的2.20 mΩ·cm²顯著降低至1.35 mΩ·cm²

重離子引起漏電退化損傷對(duì)SiC MOSFET柵極可靠性的影響————作者：袁其飛;于慶奎;曹爽;孫毅;王賀;張曉;張騰;柏松;

摘要：研究了重離子引起漏電退化損傷對(duì)1200 V SiC MOSFET柵極可靠性的影響。結(jié)果表明，在Ta離子輻照下，VDS在150 V至200 V時(shí)，器件漏電流由納安增加至微安，通過(guò)微光顯微鏡（EMMI）發(fā)現(xiàn)損傷主要集中在器件的主結(jié)區(qū)。經(jīng)過(guò)168小時(shí)20 V柵壓考核，漏電退化器件柵漏電由幾微安升高至百微安，但最大跨導(dǎo)和轉(zhuǎn)移特性均無(wú)明顯變化。研究同時(shí)驗(yàn)證了在負(fù)柵壓輻照條件下，器件柵極更易發(fā)生漏電。綜上，本...

1200 V SiC溝槽JBS單粒子燒毀仿真研究————作者：傅成文;黃文德;董小平;劉垚森;馬瑤;黃銘敏;龔敏;楊治美;李蕓;

摘要：碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD）憑借其低功耗、耐高溫、高開(kāi)關(guān)頻率等優(yōu)異特性，在航天航空領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，然而，其抗單粒子燒毀能力遠(yuǎn)不如預(yù)期。采用二維數(shù)值模擬方法，對(duì)1200 V 碳化硅溝槽結(jié)勢(shì)壘肖特基（TJBS）二極管的單粒子燒毀（SEB）效應(yīng)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，峰值溫度點(diǎn)會(huì)隨入射位置變化而遷移，且器件的單粒子敏感區(qū)域集中在P+/n-和n-/n+結(jié)。針對(duì)這些敏感位置，提出具有分層P...

不同特征尺寸微處理器的總劑量效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究————作者：范恒;梁潤(rùn)成;陳法國(guó);郭榮;鄭智睿;

摘要：針對(duì)不同特征尺寸商用微處理器在總劑量效應(yīng)失效模式和失效劑量方面的差異，以同一制造商180 nm、90 nm、40 nm特征尺寸的微處理器為研究對(duì)象，利用自主研制的可擴(kuò)展式微處理器總劑量效應(yīng)在線測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)微處理器在⁶⁰Co輻照期間的通信、數(shù)模信號(hào)轉(zhuǎn)換、非易失性存儲(chǔ)、隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)、直接存儲(chǔ)器訪問(wèn)、功耗電流、時(shí)鐘/定時(shí)器等功能的變化情況開(kāi)展了原位在線測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，三種微處理...

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